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吉林大學(xué)—利用超聲霧化噴涂技術(shù)制備高性能全無機量子點發(fā)光二極管

吉林大學(xué)—利用超聲霧化噴涂技術(shù)制備高性能全無機量子點發(fā)光二極管
【引言】


照明和顯示的研究是關(guān)系到國防需求和國計民生重要行業(yè)。目前,半導(dǎo)體電致發(fā)光主要分為三個方向:第一代的基于Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體的電致發(fā)光(LED);第二代的基于有機半導(dǎo)體材料薄膜的電致發(fā)光(OLED)以及第三代的基于無機半導(dǎo)體量子點(如CdS,CdSe,ZnSe,CuInS2等)薄膜的電致發(fā)光(QLED)。其中,無機LED和OLED在照明、顯示等方面一定程度上實現(xiàn)了商業(yè)化,而新興的QLED仍處在研發(fā)階段。但是由于QLED及量子點材料的許多獨特的優(yōu)勢,如材料發(fā)光顏色從近紅外到可見波段連續(xù)可調(diào)、窄的發(fā)光線寬、高的發(fā)光效率(量子效率高達90%以上)、極好的光穩(wěn)定性和簡單的低成本溶液加工處理等,能夠彌補上述技術(shù)在面光源照明、高性能顯示應(yīng)用中的不足,成為產(chǎn)業(yè)界廣泛關(guān)注的下一代技術(shù)。

值得關(guān)注的是,基于量子點背光源技術(shù)的液晶顯示器已經(jīng)成功走向商業(yè)化。然而,目前電致發(fā)光的QLED大都基于有機、無機雜化的器件結(jié)構(gòu)。而有機材料的對水氧極其敏感,因此對器件的制備及后期封裝提出了嚴格的要求,增加了器件的制備成本。因此,尋求性能更加穩(wěn)定的無機材料作為電荷傳輸層是解決上述挑戰(zhàn),推動QLED市場化的關(guān)鍵。


【成果簡介】

近日,吉林大學(xué)物理學(xué)院張漢壯(通訊作者)、紀文宇教授課題組與該校電子學(xué)院謝文法(通訊作者)教授課題組合作,利用超聲霧化噴涂技術(shù),制備了迄今為止性能最佳的全無機量子點電致發(fā)光器件(QLEDs)。


與普通的旋涂工藝相比,超聲噴涂技術(shù)具有三大優(yōu)勢:一是其節(jié)省材料。對于普通的旋涂工藝,在旋涂過程中超過90%的材料被浪費掉了,而噴涂工藝中的材料利用率幾乎為100%。二是噴涂工藝可以實現(xiàn)大面積器件的制備,而旋涂技術(shù)則不行。這就使得旋涂技術(shù)無法應(yīng)用到工業(yè)化生產(chǎn)中。三是普通旋涂技術(shù)無法對器件進行掩膜從而實現(xiàn)像素點的制備,而噴涂技術(shù)完全可以兼容掩膜的工藝。而且目前有很多工藝技術(shù)用以提高此技術(shù)中的掩膜質(zhì)量,這是成功制備高質(zhì)量顯示器件的最為關(guān)鍵的技術(shù)環(huán)節(jié)??傊?,噴涂技術(shù)是一種低成本、高效的基于溶液法的薄膜制備工藝,有望在將來的工業(yè)化生產(chǎn)中得到應(yīng)用。
在之前所報道的全無機器件中,量子點發(fā)光層被直接沉積在NiO空穴傳輸層上。由于溶液法(或磁控濺射)制備的NiO中存在大量的缺陷,使得與之直接接觸的量子點的發(fā)光很大程度的發(fā)生了淬滅。鑒于此,紀文宇等人提出引入溶液法處理的Al2O3作為中間層修飾NiO空穴傳輸層,抑制了NiO對量子點的淬滅。該報道中,全無機器件電流效率達到20.5cd/A,亮度超過20000 cd/m2。相比之前所報道的器件,該器件的效率及亮度均有兩個數(shù)量級的提高。此外,全無機QLED器件壽命達到8000小時。這是世界上首次對全無機QLED器件的壽命進行的報道。這對全無機QLED器件的發(fā)展起到了極好的推動作用,使人們看到了利用全無機QLED作為平臺制備基于量子點的電致發(fā)光照明及顯示器件的巨大前景。雖然該報道中只進行了綠光器件的制備,但是對于其他顏色器件,如紅光和藍光,利用此種工藝制備器件也是切實可行的。盡管如此,目前全無機器件在各方面性能上,尤其是器件壽命方面與傳統(tǒng)的有機、無機雜化的QLED器件還有很大的差距。研究人員正在從材料和器件兩方面進行深入的研究,最近,他們通過對電荷傳輸層的優(yōu)化,使得器件的性能得到了進一步的提高。

上述進展得到了國家自然科學(xué)基金委項目的支持。該課題組一直從事QLED的相關(guān)研究工作,近5年來,發(fā)表學(xué)術(shù)論文34篇(其中第一/通訊作者24篇)。該成果被美國化學(xué)學(xué)會進行了專門報道)。


【小結(jié)】

研究人員利用超聲霧化噴涂技術(shù),制備了迄今為止性能最佳的全無機量子點電致發(fā)光器件(QLEDs)。該器件電流效率達到20.5cd/A,亮度超過20000 cd/m2。相比之前所報道的器件,效率及亮度均有兩個數(shù)量級的提高。此外,全無機QLED器件壽命達到8000小時。這項研究對全無機QLED器件的發(fā)展起到了極好的推動作用,使人們看到了利用全無機QLED作為平臺制備基于量子點的電致發(fā)光照明及顯示器件的巨大前景。
轉(zhuǎn)載自微信公眾號:材料人
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